半导体光学元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680044080.4

申请日：

2006-12-20

公开(公告)号：

CN101341600B

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

渡边泽木芝和宏中田武志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

H01L3300 H01S5183

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陆锦华;黄启行

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	授权	授权
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-02-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101645508062 IPC(主分类):H01L 31/10 专利号:ZL2006800440804 申请日:20061220 授权公告日:20121128 终止日期:20141220
2009-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光学元件 [P].

藤原直树 ;

八木英树 ;

小路元 ;

平谷拓生 ;

菊地健彦 ;

新田俊之 .

日本专利 :CN112821189B ,2025-07-15

[2]

半导体光学元件 [P].

藤原直树 ;

八木英树 ;

小路元 ;

平谷拓生 ;

菊地健彦 ;

新田俊之 .

中国专利 :CN112821189A ,2021-05-18

[3]

半导体光接收元件 [P].

中路雅晴 ;

竹村亮太 .

中国专利 :CN102034890B ,2011-04-27

[4]

半导体光学元件和包括该元件的半导体光学装置 [P].

中原宏治 ;

菅一辉 .

中国专利 :CN112350148A ,2021-02-09

[5]

半导体光学元件的制造方法 [P].

阿部真司 ;

川崎和重 .

中国专利 :CN101950924A ,2011-01-19

[6]

半导体光学元件的制造方法 [P].

阿部真司 ;

川崎和重 .

中国专利 :CN101276993B ,2008-10-01

[7]

半导体光学元件及其制造方法 [P].

志贺俊彦 .

中国专利 :CN101119010A ,2008-02-06

[8]

半导体光接收元件、和具有该半导体光接收元件的光学拾波器件 [P].

河田诚治 .

中国专利 :CN1976048A ,2007-06-06

[9]

光学半导体元件 [P].

秋山知之 .

中国专利 :CN102955266A ,2013-03-06

[10]

分层半导体衬底和光学半导体元件 [P].

櫛部光弘 ;

大場康夫 ;

橋本玲 ;

高岡圭児 .

中国专利 :CN1449061A ,2003-10-15

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