半导体光学元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010298304.2

申请日：

2007-10-15

公开(公告)号：

CN101950924A

公开(公告)日：

2011-01-19

发明(设计)人：

阿部真司川崎和重

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S504 H01S5323

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

毛利群;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056900029 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2010102983042 申请日:20071015
2015-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101636684456 IPC(主分类):H01S 5/22 专利号:ZL2010102983042 申请日:20071015 授权公告日:20120704 终止日期:20141015
2012-07-04	授权	授权
2011-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光学元件的制造方法 [P].

阿部真司 ;

川崎和重 .

中国专利 :CN101276993B ,2008-10-01

[2]

制造光学半导体元件的方法 [P].

城岸直辉 ;

樱井淳 ;

村上朱实 ;

近藤崇 ;

武田一隆 ;

早川纯一朗 .

中国专利 :CN106505409A ,2017-03-15

[3]

制造光学元件和半导体元件的方法 [P].

安德鲁·J·欧德科克 ;

保罗·S·勒格 ;

奥勒斯特尔·小本森 ;

凯瑟琳·A·莱瑟达尔 ;

威廉·D·约瑟夫 .

中国专利 :CN101087675A ,2007-12-12

[4]

半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件 [P].

谷口英广 .

中国专利 :CN103199437B ,2013-07-10

[5]

半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件 [P].

谷口英广 .

中国专利 :CN102474071B ,2012-05-23

[6]

半导体光学元件及其制造方法 [P].

志贺俊彦 .

中国专利 :CN101119010A ,2008-02-06

[7]

半导体光学元件 [P].

渡边泽木 ;

芝和宏 ;

中田武志 .

中国专利 :CN101341600B ,2009-01-07

[8]

光学基板、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

古池润 ;

三田村哲理 ;

山口布士人 .

中国专利 :CN104205370B ,2014-12-10

[9]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

[10]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

← 1 2 3 4 5 →