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半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201080027929.3
申请日：
2010-06-09
公开(公告)号：
CN102474071B
公开(公告)日：
2012-05-23
发明(设计)人：
谷口英广
申请人：
申请人地址：
日本国东京都
IPC主分类号：
H01S516
IPC分类号：
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
张远
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-05-23 | 公开 | 公开 |
| 2015-07-22 | 授权 | 授权 |
| 2012-07-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101284320773 IPC(主分类):H01S 5/16 专利申请号:2010800279293 申请日:20100609 |