在半导体衬底中制造半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410079827.2

申请日：

2004-09-20

公开(公告)号：

CN1607646A

公开(公告)日：

2005-04-20

发明(设计)人：

弗朗茨·迪茨福尔克尔·杜德克米夏埃多·格拉夫

申请人：

申请人地址：

联邦德国海尔布隆

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21324 H01L21336 H01L2978

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

曾立

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-20	公开	公开
2014-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588385178 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL2004100798272 申请日:20040920 授权公告日:20080604 终止日期:20130920
2008-06-04	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

内原士 .

中国专利 :CN102694025A ,2012-09-26

[42]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

杉山智彦 ;

角谷茂明 ;

前原宗太 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN104126223A ,2014-10-29

[43]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

柳川吉明 .

日本专利 :CN120937137A ,2025-11-11

[44]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

日本专利 :CN115315819B ,2025-07-22

[45]

半导体元件的制造方法和半导体元件 [P].

松浦文章 ;

佐藤知稔 .

中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22

[46]

半导体元件的制造方法及半导体元件 [P].

廖政华 ;

谢荣裕 ;

杨令武 .

中国专利 :CN103187305A ,2013-07-03

[47]

制造半导体元件的方法与半导体元件 [P].

益冈有里 ;

徐鹏富 ;

黄焕宗 ;

黄国泰 ;

卡罗斯H·迪雅兹 ;

侯永田 .

中国专利 :CN101661901A ,2010-03-03

[48]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

山口一树 ;

住友新隆 .

中国专利 :CN113770549A ,2021-12-10

[49]

制造半导体元件的方法及其半导体元件 [P].

哈尔代恩·S·亨利 ;

达赖尔·G·西尔 ;

乔纳森·K·阿布洛克瓦 ;

马里穆·G·萨达卡 .

中国专利 :CN1468443A ,2004-01-14

[50]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22

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