用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310447890.6

申请日：

2013-09-27

公开(公告)号：

CN103700577A

公开(公告)日：

2014-04-02

发明(设计)人：

H-J.舒尔策 W.维尔纳

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

蒋骏;胡莉莉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20140402
2014-04-02	公开	公开
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581906548 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013104478906 申请日:20130927

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[2]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[3]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[4]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[6]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[7]

半导体器件及其制造方法和用于制造半导体器件的衬底 [P].

小林俊雅 ;

东条刚 .

中国专利 :CN1231533A ,1999-10-13

[8]

半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

帕特里克·罗德 ;

菲利普·德雷克塞尔 .

中国专利 :CN103003917A ,2013-03-27

[9]

用于制造半导体衬底的方法 [P].

M·洛吉乌 .

中国专利 :CN102810466A ,2012-12-05

[10]

半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田多加志 .

中国专利 :CN1467795A ,2004-01-14

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