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半导体元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011013779.2
申请日：
2020-09-24
公开(公告)号：
CN112635298A
公开(公告)日：
2021-04-09
发明(设计)人：
西影治彦
宫本佳典
细川泰伸
申请人：
申请人地址：
日本德岛县
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
H01L3332
H01L3300
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
张思宝
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-07-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200924 |
| 2021-04-09 | 公开 | 公开 |