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半导体元件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011013779.2
申请日：
2020-09-24
公开(公告)号：
CN112635298B
公开(公告)日：
2025-09-05
发明(设计)人：
西影治彦 宫本佳典 细川泰伸
申请人：
日亚化学工业株式会社
申请人地址：
日本德岛县
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H10H20/825 H10H20/01
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
曲天佐
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-05 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体元件的制造方法 [P]. 
西影治彦 ;
宫本佳典 ;
细川泰伸 .
日本专利 :CN111628054B ,2024-12-03
[2]
半导体元件的制造方法 [P]. 
西影治彦 ;
宫本佳典 ;
细川泰伸 .
中国专利 :CN111628054A ,2020-09-04
[3]
半导体元件的制造方法 [P]. 
西影治彦 ;
宫本佳典 ;
细川泰伸 .
中国专利 :CN112635298A ,2021-04-09
[4]
半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P]. 
大野彰仁 ;
竹见政义 ;
富田信之 .
中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07
[5]
半导体元件及其制造方法 [P]. 
市原隆志 ;
三贺大辅 ;
楠濑健 ;
山田孝夫 .
中国专利 :CN1883058A ,2006-12-20
[6]
半导体元件的制造方法 [P]. 
蒋嘉哲 .
中国专利 :CN117832204A ,2024-04-05
[7]
半导体元件的制造方法 [P]. 
大野彰仁 ;
竹见政义 ;
富田信之 .
中国专利 :CN101452837A ,2009-06-10
[8]
半导体元件的制造方法 [P]. 
西村刚太 .
中国专利 :CN115443519A ,2022-12-06
[9]
半导体元件的制造方法 [P]. 
西村刚太 .
日本专利 :CN115443519B ,2025-09-02
[10]
半导体元件和半导体元件的制造方法 [P]. 
村川贤太郎 .
中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07
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