一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710988708.6

申请日：

2017-10-22

公开(公告)号：

CN107721403A

公开(公告)日：

2018-02-23

发明(设计)人：

覃杏柳苏聪学郑彬宁方亮刘来君

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35195

IPC分类号：

C04B3519 C04B35495

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/195 申请日:20171022
2021-01-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/195 申请公布日:20180223
2018-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[2]

一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

郑彬宁 .

中国专利 :CN107586122A ,2018-01-16

[3]

一种低介电微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐莹 ;

苏聪学 ;

方亮 .

中国专利 :CN111517789B ,2020-08-11

[4]

一种高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107586123A ,2018-01-16

[5]

一种温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

郑彬宁 .

中国专利 :CN107793140A ,2018-03-13

[6]

六方钙钛矿结构微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

方亮 .

中国专利 :CN108002833B ,2018-05-08

[7]

中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

方亮 .

中国专利 :CN108002835A ,2018-05-08

[8]

高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

陈军奇 ;

方亮 .

中国专利 :CN107986785B ,2018-05-04

[9]

温度稳定型低介电损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

李钰婷 ;

乔坚栗 .

中国专利 :CN113880573A ,2022-01-04

[10]

中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

张志伟 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN108002836A ,2018-05-08

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