高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711299592.1

申请日：

2017-12-09

公开(公告)号：

CN107986785B

公开(公告)日：

2018-05-04

发明(设计)人：

苏聪学覃杏柳陈军奇方亮

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B3550 C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	公开	公开
2020-11-24	授权	授权
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/495 申请日:20171209
2022-12-09	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):C04B 35/495 合同备案号:X2022450000170 让与人:桂林理工大学受让人:广西自贸区利锋科技发展集团有限公司发明名称:高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法申请日:20171209 申请公布日:20180504 授权公告日:20201124 许可种类:普通许可备案日期:20221124

共 50 条

[1]

一种高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107586123A ,2018-01-16

[2]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[3]

中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

张志伟 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN108002836A ,2018-05-08

[4]

一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23

[5]

中介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

夏往所 ;

王莹 ;

石礼伟 ;

张国营 ;

黄逸佳 .

中国专利 :CN104311024A ,2015-01-28

[6]

一种高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

叶静 ;

孙浩 ;

吕笑松 ;

于经洋 .

中国专利 :CN105036741A ,2015-11-11

[7]

一种高品质因数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

高峰 ;

史芳军 ;

吴昌英 ;

张丽娜 .

中国专利 :CN102060532B ,2011-05-18

[8]

具有高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

高正东 ;

蔡昊成 ;

陈俊晓 ;

李赛 .

中国专利 :CN103922724A ,2014-07-16

[9]

一种高品质因数微波介质陶瓷材料及制备方法 [P].

孙成礼 ;

董雪 ;

张树人 ;

唐斌 ;

李恩竹 .

中国专利 :CN108249906A ,2018-07-06

[10]

低温烧结铌酸盐高品质因数微波介质陶瓷材料 [P].

李玲霞 ;

蔡昊成 ;

高正东 ;

孙浩 ;

吕笑松 ;

陈俊晓 .

中国专利 :CN103951430A ,2014-07-30

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