雪崩光电二极管温度系数测试装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720328762.3

申请日：

2017-03-31

公开(公告)号：

CN207198291U

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

刘格曾建武杨彦伟向智

申请人：

申请人地址：

518071 广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R104

代理机构：

北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343

代理人：

尚志峰;汪海屏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管 [P].

A·兹莫 ;

D·戈兰斯基 ;

S·普雷斯 ;

G·玛钱德 .

:CN222582874U ,2025-03-07

[2]

雪崩光电二极管 [P].

仇正勇 .

中国专利 :CN203950825U ,2014-11-19

[3]

雪崩光电二极管温度偏置电压测试设备 [P].

张超 ;

曾雪飞 ;

杨忠 ;

黄远军 ;

黄庆 ;

蒋智勇 ;

曹军 .

中国专利 :CN2781392Y ,2006-05-17

[4]

雪崩光电二极管 [P].

苏琳琳 ;

郁智豪 ;

杨成东 .

中国专利 :CN216928607U ,2022-07-08

[5]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03

[6]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13

[7]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27

[8]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22

[9]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30

[10]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101180740A ,2008-05-14

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