超高压LDMOS器件结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110441110.8

申请日：

2011-12-26

公开(公告)号：

CN103178087B

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

宁开明董科马栋朱东园

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-10	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101688900975 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011104411108 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140107
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497334852 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011104411108 申请日:20111226
2013-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

超高压LDMOS器件结构 [P].

邢军军 .

中国专利 :CN105070756A ,2015-11-18

[2]

超高压LDMOS器件的结构及制备方法 [P].

宁开明 ;

董科 ;

马栋 .

中国专利 :CN103178092A ,2013-06-26

[3]

超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法 [P].

董金珠 ;

胡君 ;

韩峰 ;

刘冬华 ;

石晶 ;

段文婷 ;

钱文生 .

中国专利 :CN102522425A ,2012-06-27

[4]

超高压BCD工艺中的LDMOS结构 [P].

吕宇强 ;

邵凯 ;

陈雪萌 ;

永福 ;

杨海波 .

中国专利 :CN102496627A ,2012-06-13

[5]

LDMOS器件及其制备方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN115377206A ,2022-11-22

[6]

LDMOS器件及其制备方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN115377206B ,2025-12-12

[7]

超高压LDMOS的工艺制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102412126A ,2012-04-11

[8]

一种高压LDMOS器件 [P].

郭宇锋 ;

徐光明 ;

花婷婷 ;

黄示 ;

张长春 ;

夏晓娟 .

中国专利 :CN103094350A ,2013-05-08

[9]

LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P].

王清钢 .

中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25

[10]

一种超高压器件结构 [P].

姚磊 ;

李毅 .

中国专利 :CN222440589U ,2025-02-07

← 1 2 3 4 5 →