超高压LDMOS的工艺制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110344330.9

申请日：

2011-11-04

公开(公告)号：

CN102412126A

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250912157 IPC(主分类):H01L 21/266 专利申请号:2011103443309 申请日:20111104
2013-12-18	授权	授权
2012-04-11	公开	公开
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684701403 IPC(主分类):H01L 21/266 专利号:ZL2011103443309 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216

共 50 条

[1]

超高压BCD工艺中的LDMOS结构 [P].

吕宇强 ;

邵凯 ;

陈雪萌 ;

永福 ;

杨海波 .

中国专利 :CN102496627A ,2012-06-13

[2]

超高压LDMOS器件结构 [P].

邢军军 .

中国专利 :CN105070756A ,2015-11-18

[3]

超高压冷泡浓茶的制作方法 [P].

贾培起 .

中国专利 :CN103960384A ,2014-08-06

[4]

集成采用功能的超高压LDMOS复合管及工艺方法 [P].

苗彬彬 .

中国专利 :CN111370492A ,2020-07-03

[5]

超高压电缆导体的制作方法 [P].

黄欣 ;

魏学志 ;

张治刚 ;

滕兆丰 .

中国专利 :CN103065722A ,2013-04-24

[6]

超高压LDMOS器件的结构及制备方法 [P].

宁开明 ;

董科 ;

马栋 .

中国专利 :CN103178092A ,2013-06-26

[7]

超高压LDMOS器件结构及制备方法 [P].

宁开明 ;

董科 ;

马栋 ;

朱东园 .

中国专利 :CN103178087B ,2013-06-26

[8]

一种超高压杂粮米饭的制作方法 [P].

刘超 ;

郭志利 ;

周柏玲 ;

石磊 ;

孟婷婷 ;

田志芳 ;

徐琳 ;

梁霞 ;

王峰 .

中国专利 :CN107467507A ,2017-12-15

[9]

一种超高压氢气瓶的制作方法 [P].

王红霞 ;

王五开 ;

赵京茂 ;

马广青 ;

刘玉红 ;

张洪 ;

王会赏 ;

齐虎斌 ;

赵子禄 ;

李利娇 .

中国专利 :CN101187441A ,2008-05-28

[10]

超高压化学中产生超高压的方法 [P].

黄必录 .

中国专利 :CN102423663A ,2012-04-25

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