半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02142514.0

申请日：

2002-09-23

公开(公告)号：

CN1409289A

公开(公告)日：

2003-04-09

发明(设计)人：

木村肇

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G09G332

IPC分类号：

H01L2700 G02F1133 H05B3300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-04-09	公开	公开
2020-09-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G09G 3/32 申请日:20020923 授权公告日:20080806 终止日期:20190923
2004-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN101231817A ,2008-07-30

[2]

半导体器件 [P].

木村肇 ;

棚田好文 .

中国专利 :CN103646627B ,2014-03-19

[3]

半导体器件 [P].

木村肇 ;

棚田好文 .

中国专利 :CN102176300B ,2011-09-07

[4]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN101013558B ,2007-08-08

[5]

半导体器件和发光器件 [P].

安部宽子 ;

濑尾哲史 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1790729A ,2006-06-21

[6]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN100468501C ,2005-02-16

[7]

半导体器件 [P].

纳光明 ;

安西彩 ;

山崎优 .

中国专利 :CN1573847A ,2005-02-02

[8]

半导体器件 [P].

高桥寿史 .

中国专利 :CN101261993A ,2008-09-10

[9]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN102496347B ,2012-06-13

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

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