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一种氮化硅结合氮化硅铁材料的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510629876.7
申请日
:
2015-09-29
公开(公告)号
:
CN105152663A
公开(公告)日
:
2015-12-16
发明(设计)人
:
李勇
秦海霞
申请人
:
申请人地址
:
100083 北京市海淀区学院路30号
IPC主分类号
:
C04B3566
IPC分类号
:
C04B35584
代理机构
:
北京市广友专利事务所有限责任公司 11237
代理人
:
张仲波
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-09-14
授权
授权
2016-01-13
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101642480758 IPC(主分类):C04B 35/66 专利申请号:2015106298767 申请日:20150929
2015-12-16
公开
公开
共 50 条
[1]
低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备
[P].
孙加林
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孙加林
;
洪彦若
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洪彦若
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祝少军
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祝少军
.
中国专利
:CN1424249A
,2003-06-18
[2]
氮化硅纳米线制备方法,氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体
[P].
雷超
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雷超
;
魏飞
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魏飞
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张晨曦
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张晨曦
.
中国专利
:CN106477538A
,2017-03-08
[3]
低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法
[P].
王福
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王福
;
杨连弟
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杨连弟
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王京甫
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王京甫
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徐锦标
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徐锦标
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郭金砚
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郭金砚
;
邹艺峰
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邹艺峰
;
刘得顺
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刘得顺
.
中国专利
:CN102219194A
,2011-10-19
[4]
氮化硅铁多孔陶瓷滑板的制备方法
[P].
李勇
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李勇
;
秦海霞
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秦海霞
;
白立雄
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白立雄
.
中国专利
:CN104744057B
,2015-07-01
[5]
氮化硅陶瓷制造方法
[P].
宁晓山
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宁晓山
;
吕鑫
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吕鑫
;
徐伟
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徐伟
;
周和平
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周和平
;
陈克新
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陈克新
.
中国专利
:CN1246253C
,2005-03-23
[6]
氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷
[P].
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机构:
韩召
;
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机构:
刘鹏飞
;
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机构:
郗威
;
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机构:
吴六顺
.
中国专利
:CN118420356A
,2024-08-02
[7]
一种制备氮化硅的方法
[P].
程卓
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程卓
.
中国专利
:CN105884373A
,2016-08-24
[8]
氮化硅的制备方法
[P].
朱青松
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朱青松
;
何文
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何文
;
董占美
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董占美
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王佳军
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王佳军
;
年夫雪
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年夫雪
.
中国专利
:CN108285132B
,2018-07-17
[9]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板
[P].
杨晓冬
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
杨晓冬
;
冼锐炜
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
冼锐炜
.
中国专利
:CN120349192A
,2025-07-22
[10]
真空电阻法制备氮化硅钒铁的方法
[P].
李春德
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李春德
;
张磊
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张磊
;
刘金怀
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刘金怀
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耿桂宏
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耿桂宏
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王耀鹏
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王耀鹏
;
杨丽燕
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杨丽燕
.
中国专利
:CN113604696B
,2021-11-05
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