氮化硅纳米线制备方法,氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610972014.9
申请日
2016-11-03
公开(公告)号
CN106477538A
公开(公告)日
2017-03-08
发明(设计)人
雷超 魏飞 张晨曦
申请人
申请人地址
100000 北京市海淀区清华园
IPC主分类号
C01B21068
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371
代理人
李进;王素丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种氮化硅纳米线的制备方法和氮化硅纳米线 [P]. 
雷超 ;
魏飞 ;
张晨曦 ;
肖哲熙 .
中国专利 :CN107161962B ,2017-09-15
[2]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03
[3]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25
[4]
一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法 [P]. 
尹传强 ;
周浪 ;
李晓敏 ;
魏秀琴 ;
兰宇 .
中国专利 :CN110436934A ,2019-11-12
[5]
氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷制备方法 [P]. 
成来飞 ;
李明星 ;
叶昉 ;
刘永胜 ;
张立同 .
中国专利 :CN109320276A ,2019-02-12
[6]
氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法 [P]. 
杨自春 ;
赵爽 ;
杨飞跃 ;
陈国兵 ;
陈俊 ;
袁硕伟 .
中国专利 :CN109796222A ,2019-05-24
[7]
氮化硅纳米线及其制备方法 [P]. 
张丽娟 ;
董法海 ;
朱楠楠 ;
温广武 .
中国专利 :CN119774558B ,2025-05-16
[8]
氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P]. 
韩召 ;
刘鹏飞 ;
郗威 ;
吴六顺 .
中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02
[9]
氮化硅纳米线及其制备方法 [P]. 
张丽娟 ;
董法海 ;
朱楠楠 ;
温广武 .
中国专利 :CN119774558A ,2025-04-08
[10]
氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P]. 
青木克之 ;
岩井健太郎 ;
深泽孝幸 ;
门马旬 ;
佐野孝 .
中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02