氮化硅纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510286035.4

申请日：

2025-03-12

公开(公告)号：

CN119774558A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

张丽娟董法海朱楠楠温广武

申请人：

山东理工大学

申请人地址：

255086 山东省淄博市张店区新村西路266号

IPC主分类号：

C01B21/068

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

青岛发思特专利商标代理有限公司 37212

代理人：

巩孝婷

法律状态：

授权

国省代码：

山东省淄博市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	授权	授权
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/068申请日:20250312
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅纳米线及其制备方法 [P].

张丽娟 ;

董法海 ;

朱楠楠 ;

温广武 .

中国专利 :CN119774558B ,2025-05-16

[2]

一种氮化硅纳米线的制备方法和氮化硅纳米线 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 ;

肖哲熙 .

中国专利 :CN107161962B ,2017-09-15

[3]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[4]

氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法 [P].

杨自春 ;

赵爽 ;

杨飞跃 ;

陈国兵 ;

陈俊 ;

袁硕伟 .

中国专利 :CN109796222A ,2019-05-24

[5]

荧光氮化硅基纳米线及其制备方法 [P].

徐鑫 .

中国专利 :CN101205629A ,2008-06-25

[6]

氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷制备方法 [P].

成来飞 ;

李明星 ;

叶昉 ;

刘永胜 ;

张立同 .

中国专利 :CN109320276A ,2019-02-12

[7]

一种高韧性氮化硅纳米线/氮化硅层状陶瓷及其制备方法 [P].

王红洁 ;

李明主 ;

肖灵彬 ;

苏磊 .

中国专利 :CN114853482A ,2022-08-05

[8]

氮化硅纳米线增强多孔氮化硅复合材料及其制备方法 [P].

李端 ;

李斌 ;

于坤江 ;

高世涛 ;

杨雪金 ;

郑远义 .

中国专利 :CN108033801B ,2018-05-15

[9]

一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法 [P].

尹传强 ;

周浪 ;

李晓敏 ;

魏秀琴 ;

兰宇 .

中国专利 :CN110436934A ,2019-11-12

[10]

一种氮化硅纳米线的制备方法 [P].

张晓东 ;

温广武 ;

邢双颖 ;

黄小萧 ;

白宏伟 ;

钟博 .

中国专利 :CN101224877A ,2008-07-23

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