氮化硅纳米线增强多孔氮化硅复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711183369.0

申请日：

2017-11-23

公开(公告)号：

CN108033801B

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

李端李斌于坤江高世涛杨雪金郑远义

申请人：

申请人地址：

410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

IPC主分类号：

C04B3580

IPC分类号：

C04B35584 C04B3810 C04B3564

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

张鲜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-18	授权	授权
2018-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/80 申请日:20171123
2018-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法 [P].

丁军 ;

刘正龙 ;

邓承继 ;

余超 ;

祝洪喜 ;

吴郑敏 .

中国专利 :CN106747640A ,2017-05-31

[2]

一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法 [P].

陈斐 ;

王开宇 ;

李飞宇 ;

沈强 ;

张联盟 .

中国专利 :CN103214264B ,2013-07-24

[3]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[4]

一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

丁军 ;

吴郑敏 ;

邓承继 ;

余超 ;

祝洪喜 ;

柴志南 .

中国专利 :CN106699227B ,2017-05-24

[5]

氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法 [P].

杨自春 ;

赵爽 ;

杨飞跃 ;

陈国兵 ;

陈俊 ;

袁硕伟 .

中国专利 :CN109796222A ,2019-05-24

[6]

氮化硅纳米线及其制备方法 [P].

张丽娟 ;

董法海 ;

朱楠楠 ;

温广武 .

中国专利 :CN119774558B ,2025-05-16

[7]

氮化硅晶须与氮化硅纳米线增强氮化硅基透波陶瓷制备方法 [P].

成来飞 ;

李明星 ;

叶昉 ;

刘永胜 ;

张立同 .

中国专利 :CN109320276A ,2019-02-12

[8]

氮化硅纳米线及其制备方法 [P].

张丽娟 ;

董法海 ;

朱楠楠 ;

温广武 .

中国专利 :CN119774558A ,2025-04-08

[9]

一种氮化硅纳米线的制备方法和氮化硅纳米线 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 ;

肖哲熙 .

中国专利 :CN107161962B ,2017-09-15

[10]

多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法 [P].

贾德昌 ;

邵颖峰 ;

周玉 .

中国专利 :CN101531538B ,2009-09-16

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