一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710024218.4

申请日：

2017-01-13

公开(公告)号：

CN106747640A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

丁军刘正龙邓承继余超祝洪喜吴郑敏

申请人：

申请人地址：

430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号

IPC主分类号：

C04B3810

IPC分类号：

C04B3580 C04B35565

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

张火春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	授权	授权
2017-05-31	公开	公开
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 38/10 登记生效日:20210301 变更事项:专利权人变更前权利人:武汉科技大学变更后权利人:武汉塑之源科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号变更后权利人:430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号神州数码武汉科技园11栋1-5层01室1-24
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729179113 IPC(主分类):C04B 38/10 专利申请号:2017100242184 申请日:20170113

共 50 条

[1]

一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

丁军 ;

吴郑敏 ;

邓承继 ;

余超 ;

祝洪喜 ;

柴志南 .

中国专利 :CN106699227B ,2017-05-24

[2]

氮化硅纳米线增强多孔氮化硅复合材料及其制备方法 [P].

李端 ;

李斌 ;

于坤江 ;

高世涛 ;

杨雪金 ;

郑远义 .

中国专利 :CN108033801B ,2018-05-15

[3]

一种纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

吴郑敏 ;

王震 ;

陆毅 ;

刘辉 ;

戚芳 ;

徐婷 .

中国专利 :CN119751104B ,2025-09-02

[4]

一种纳米晶须增强氮化硅结合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

吴郑敏 ;

王震 ;

陆毅 ;

刘辉 ;

戚芳 ;

徐婷 .

中国专利 :CN119751104A ,2025-04-04

[5]

一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 [P].

张海军 ;

韩磊 ;

董龙浩 ;

张少伟 .

中国专利 :CN108558438A ,2018-09-21

[6]

一种多孔氮化硅结合碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 [P].

李君 ;

邓承继 ;

陈少一 ;

朱青友 ;

员文杰 ;

祝洪喜 .

中国专利 :CN104926316A ,2015-09-23

[7]

一种多孔氮化硅/碳化硅复合材料及其制备方法 [P].

乔竹辉 ;

张立志 ;

汤华国 ;

于源 ;

王鲁杰 ;

李彤阳 .

中国专利 :CN117510227A ,2024-02-06

[8]

一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法 [P].

陈斐 ;

王开宇 ;

李飞宇 ;

沈强 ;

张联盟 .

中国专利 :CN103214264B ,2013-07-24

[9]

一种氮化硅晶须结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 [P].

张海军 ;

韩磊 ;

邓先功 ;

王军凯 ;

张少伟 .

中国专利 :CN106478107A ,2017-03-08

[10]

一种多孔氮化硅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 [P].

李君 ;

邓承继 ;

祝洪喜 ;

员文杰 .

中国专利 :CN104529507A ,2015-04-22

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