一种高介电常数三相纳米复合电介质以及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910057828.3

申请日：

2019-01-22

公开(公告)号：

CN109721897A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

姚胜红高翔

申请人：

申请人地址：

102488 北京市房山区良乡凯旋大街建设路18号-D3035

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K304 C08K334 C08J518

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-07	公开	公开
2021-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20190122

共 50 条

[1]

一种高介电常数聚酰亚胺三相复合材料及其制备方法 [P].

李科 ;

彭明云 ;

黄丙亮 ;

王龙 .

中国专利 :CN112898614A ,2021-06-04

[2]

一种含有改性石墨烯高介电常数三相复合材料及制备方法 [P].

党智敏 ;

周涛 ;

查俊伟 .

中国专利 :CN102675779B ,2012-09-19

[3]

一种复合电介质材料的制备方法及复合电介质材料 [P].

解云川 ;

张志成 ;

谭少博 ;

王健 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN109593218A ,2019-04-09

[4]

一种高储能密度复合电介质材料的制备方法 [P].

赵灶生 .

中国专利 :CN111619030A ,2020-09-04

[5]

一种高介电常数高弹性三相体纳米复合材料及其制备方法 [P].

党智敏 ;

夏兵 .

中国专利 :CN102199356A ,2011-09-28

[6]

一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

李刚 ;

张小青 ;

李锦州 .

中国专利 :CN102174236B ,2011-09-07

[7]

一种高介电常数复合材料及其制备方法 [P].

王新明 ;

李伟平 ;

单洪强 ;

诸跃进 ;

罗来慧 .

中国专利 :CN102653621B ,2012-09-05

[8]

一种高介电常数聚合物基纳米复合材料的制备方法 [P].

党智敏 ;

王海燕 .

中国专利 :CN101955621A ,2011-01-26

[9]

高介电常数铌酸盐系无铅压电陶瓷-聚合物三相复合材料 [P].

朱基亮 ;

李绪海 ;

王明松 ;

刘静 ;

朱建国 ;

肖定全 .

中国专利 :CN102249596A ,2011-11-23

[10]

一种高介电常数介电纳米复合材料及其制备方法 [P].

付冲 .

中国专利 :CN104327427A ,2015-02-04

← 1 2 3 4 5 →