磁隧道结存储单元结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380102411.1

申请日：

2003-10-28

公开(公告)号：

CN100421172C

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

约翰·德布罗斯迪特马尔·戈格尔海因茨·赫尼希施密德

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;李丙林

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20031028 授权公告日:20080924 终止日期:20161028
2008-09-24	授权	授权
2005-12-14	公开	公开
2006-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

内部具有磁隧道结存储单元的非易失性存储设备 [P].

李吉镐 ;

高宽协 ;

金容才 ;

裵虔熙 .

中国专利 :CN114864627A ,2022-08-05

[2]

磁随机存储单元结构 [P].

史书园 ;

王馨苒 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN118591259A ,2024-09-03

[3]

磁存储单元 [P].

邓宁 ;

陈培毅 ;

曲秉郡 ;

张磊 ;

张树超 ;

董浩 ;

任敏 .

中国专利 :CN101777569A ,2010-07-14

[4]

存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN119497379A ,2025-02-21

[5]

存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113764418A ,2021-12-07

[6]

存储单元结构 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN113764418B ,2024-10-22

[7]

存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07

[8]

存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN119403121B ,2025-10-03

[9]

存储单元结构及动态随机存取存储单元结构 [P].

高韵峯 ;

凌嘉佑 ;

姜慧如 .

中国专利 :CN220553299U ,2024-03-01

[10]

TFT SAS存储单元结构 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN101621037B ,2010-01-06

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