制造薄膜集成电路的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910148966.9

申请日：

2005-06-15

公开(公告)号：

CN101599456A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

鹤目卓也大力浩二

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王丹昕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-09	授权	授权
2019-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/77 申请日:20050615 授权公告日:20110309 终止日期:20180615
2009-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

制造薄膜集成电路的方法 [P].

鹤目卓也 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN100517728C ,2007-08-08

[2]

薄膜集成电路器件的制造方法和非接触薄膜集成电路器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小森美帆 ;

佐藤由里香 ;

细木和江 ;

荻田香 .

中国专利 :CN1894796B ,2007-01-10

[3]

制造薄膜集成电路和元件衬底的方法 [P].

道前芳隆 ;

田村友子 ;

鹤目卓也 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN1734750A ,2006-02-15

[4]

制造集成电路的方法 [P].

鹤目卓也 ;

丸山纯矢 ;

道前芳隆 .

中国专利 :CN1934707B ,2014-09-10

[5]

薄膜集成电路的制造方法和元件基片 [P].

山崎舜平 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN1914735A ,2007-02-14

[6]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

M·H·菲勒梅耶 ;

A·梅瑟 ;

T·施勒塞尔 ;

F·希尔勒 ;

M·珀尔齐尔 .

中国专利 :CN104518010B ,2015-04-15

[7]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

N·卢贝 ;

P·莫林 ;

Y·米尼奥 .

美国专利 :CN110246752B ,2024-12-13

[8]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

江宏礼 ;

张智胜 ;

陈自强 .

中国专利 :CN113078161B ,2025-01-17

[9]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

B.武特 .

中国专利 :CN104600067A ,2015-05-06

[10]

集成电路及集成电路的制造方法 [P].

董忠 ;

陈计良 ;

陈庆华 .

中国专利 :CN101030553A ,2007-09-05

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