一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610054541.1

申请日：

2016-01-26

公开(公告)号：

CN105648535A

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

李含冬龙城佳任武洋高磊张忠阳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669299877 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2016100545411 申请日:20160126
2017-12-29	授权	授权
2016-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硫系环状化合物及其制备方法和应用 [P].

熊得军 ;

王景成 ;

阎子祯 ;

郭高志 ;

郭天明 ;

郑军 ;

郭建军 ;

高建宏 .

中国专利 :CN121021575A ,2025-11-28

[2]

一种硫系双环化合物及其制备方法和应用 [P].

熊得军 ;

王景成 ;

阎子祯 ;

岳进 ;

郭天明 ;

郑军 ;

郭建军 ;

高建宏 .

中国专利 :CN121135781A ,2025-12-16

[3]

基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法 [P].

陈小刚 ;

饶峰 ;

王玉婵 ;

陈后鹏 ;

陈一峰 ;

许林海 ;

宋志棠 ;

周密 ;

王月青 .

中国专利 :CN102751319A ,2012-10-24

[4]

一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法 [P].

缪向水 ;

张金箭 ;

孙华军 ;

王青 ;

徐小华 .

中国专利 :CN103050622A ,2013-04-17

[5]

一种高性能硫系化合物基光电阴极及其制备方法 [P].

梁广兴 ;

李志东 ;

陈烁 ;

郑壮豪 .

中国专利 :CN115637430A ,2023-01-24

[6]

硫铁化合物及其制备方法 [P].

郑树启 ;

王天琪 ;

白鹏鹏 ;

梁雨轩 ;

周杰 ;

罗秉伟 .

中国专利 :CN105776353B ,2016-07-20

[7]

一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法 [P].

王玉婵 ;

袁一鸣 ;

张文霞 ;

戚飞 ;

张楠 ;

袁素真 .

中国专利 :CN113078625B ,2021-07-06

[8]

一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

马友鹏 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1780012A ,2006-05-31

[9]

硫族化合物/钙钛矿异质结构的制备方法 [P].

张晓宇 ;

王建勋 ;

尹文旭 ;

郑伟涛 .

中国专利 :CN118978907A ,2024-11-19

[10]

芴系化合物的制备方法 [P].

张永坚 ;

陈增茂 ;

施玉峰 ;

顾尧夫 ;

金海霞 .

中国专利 :CN105001027A ,2015-10-28

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