一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510030637.6

申请日：

2005-10-19

公开(公告)号：

CN1780012A

公开(公告)日：

2006-05-31

发明(设计)人：

宋志棠马友鹏封松林陈邦明

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-19	授权	授权
2006-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 [P].

刘波 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN1801501A ,2006-07-12

[2]

用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 [P].

周夕淋 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 .

中国专利 :CN101924180A ,2010-12-22

[3]

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 [P].

张楷亮 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

刘卫丽 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1616572A ,2005-05-18

[4]

用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 [P].

周夕淋 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102610745B ,2012-07-25

[5]

一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法 [P].

夏吉林 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN1564337A ,2005-01-12

[6]

一种半导体相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

刘瑾 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN119697999A ,2025-03-25

[7]

一种低功耗相变存储器的制备方法 [P].

吕士龙 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488555A ,2009-07-22

[8]

一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104409628B ,2015-03-11

[9]

基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法 [P].

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 ;

刘建超 .

中国专利 :CN101064360A ,2007-10-31

[10]

一种相变存储器阵列的制备方法 [P].

程晓敏 ;

曾运韬 ;

童浩 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112652714A ,2021-04-13

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