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一种半导体相变存储器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411735402.6
申请日：
2024-11-29
公开(公告)号：
CN119697999A
公开(公告)日：
2025-03-25
发明(设计)人：
周夕淋 刘瑾 宋志棠
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址：
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号：
H10B63/10
IPC分类号：
H10N70/20 H10N70/00
代理机构：
上海泰博知识产权代理有限公司 31451
代理人：
魏峯
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-25 公开 公开
2025-04-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/10申请日:20241129
共 50 条
[1]
包含嵌入式刀片状加热电极的半导体相变存储器单元 [P]. 
周夕淋 ;
郑加 ;
邹茜茜 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN119603975A ,2025-03-11
[2]
一种高密度半导体存储器及其制备方法 [P]. 
周夕淋 ;
陈雨晴 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN119922917A ,2025-05-02
[3]
一种半导体结构及其制备方法、相变存储器 [P]. 
雅典波罗 ;
骆金龙 .
中国专利 :CN117979707A ,2024-05-03
[4]
一种半导体存储单元及其制备方法 [P]. 
周夕淋 ;
万子琦 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN119947122A ,2025-05-06
[5]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
黄家恩 ;
陈彬 ;
丁科元 ;
饶峰 .
中国专利 :CN113838886A ,2021-12-24
[6]
半导体相变存储器件 [P]. 
朴哉炫 ;
吴在熙 ;
殷圣豪 .
中国专利 :CN101826544B ,2010-09-08
[7]
一种三维相变存储器及其制备方法 [P]. 
徐明 ;
辜融川 ;
麦贤良 ;
王欢 ;
缪向水 .
中国专利 :CN115188884B ,2024-07-16
[8]
一种相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
钟旻 ;
李铭 ;
冯高明 .
中国专利 :CN112635667B ,2021-04-09
[9]
一种相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
钟旻 ;
冯高明 ;
李铭 .
中国专利 :CN111146339B ,2020-05-12
[10]
一种相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
钟旻 ;
李铭 ;
陈寿面 .
中国专利 :CN111146340B ,2020-05-12
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