采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510110783.X

申请日：

2005-11-25

公开(公告)号：

CN1801501A

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

刘波宋志棠封松林

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	公开	公开
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

马友鹏 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1780012A ,2006-05-31

[2]

相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法 [P].

刘波 ;

宋志棠 ;

封松林 ;

陈宝明 .

中国专利 :CN101101961A ,2008-01-09

[3]

一种纳米相变存储器器件单元的制备方法 [P].

刘波 ;

宋志棠 ;

封松林 ;

陈鲍明 .

中国专利 :CN1588613A ,2005-03-02

[4]

纳电子相变存储器器件单元的制备方法 [P].

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1779947A ,2006-05-31

[5]

基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法 [P].

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 ;

刘建超 .

中国专利 :CN101064360A ,2007-10-31

[6]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[7]

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 [P].

张楷亮 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

刘卫丽 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1616572A ,2005-05-18

[8]

用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 [P].

周夕淋 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102610745B ,2012-07-25

[9]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

[10]

用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 [P].

周夕淋 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 .

中国专利 :CN101924180A ,2010-12-22

← 1 2 3 4 5 →