基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710036527.X

申请日：

2007-01-17

公开(公告)号：

CN101064360A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

宋志棠刘波封松林刘建超

申请人：

申请人地址：

200050上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	授权	授权
2007-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 [P].

刘波 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN1801501A ,2006-07-12

[2]

硫系化合物相变材料抛光后清洗液 [P].

王良咏 ;

宋志棠 ;

刘卫丽 ;

刘波 ;

钟旻 ;

封松林 .

中国专利 :CN101935596B ,2011-01-05

[3]

硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液 [P].

王良咏 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 .

中国专利 :CN101372606A ,2009-02-25

[4]

一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 [P].

宋志棠 ;

马友鹏 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1780012A ,2006-05-31

[5]

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 [P].

张楷亮 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

刘卫丽 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN1616572A ,2005-05-18

[6]

相变存储器的制作方法 [P].

马慧莉 ;

王晓峰 ;

张加勇 ;

程凯芳 ;

王晓东 ;

季安 ;

杨富华 .

中国专利 :CN101976726A ,2011-02-16

[7]

基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法 [P].

陈小刚 ;

饶峰 ;

王玉婵 ;

陈后鹏 ;

陈一峰 ;

许林海 ;

宋志棠 ;

周密 ;

王月青 .

中国专利 :CN102751319A ,2012-10-24

[8]

一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法 [P].

王玉婵 ;

袁一鸣 ;

张文霞 ;

戚飞 ;

张楠 ;

袁素真 .

中国专利 :CN113078625B ,2021-07-06

[9]

一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法 [P].

缪向水 ;

张金箭 ;

孙华军 ;

王青 ;

徐小华 .

中国专利 :CN103050622A ,2013-04-17

[10]

降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法 [P].

宋志棠 ;

饶峰 ;

吴良才 ;

封松林 .

中国专利 :CN101110464A ,2008-01-23

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