单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510027350.8

申请日：

2005-06-30

公开(公告)号：

CN1730377A

公开(公告)日：

2006-02-08

发明(设计)人：

程先华白涛

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

C10M10576 C10N5008

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

毛翠莹

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

王梁 .

中国专利 :CN1670247A ,2005-09-21

[2]

单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 .

中国专利 :CN1733593A ,2006-02-15

[3]

单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

王梁 .

中国专利 :CN1670248A ,2005-09-21

[4]

玻璃基片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1736926A ,2006-02-22

[5]

单晶硅片表面制备多巴胺-稀土复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

程海正 ;

俞亮 ;

孙志永 ;

韦山 .

中国专利 :CN102219556A ,2011-10-19

[6]

玻璃基片表面制备巯基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

上官倩芡 .

中国专利 :CN1654393A ,2005-08-17

[7]

单晶硅片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN100364911C ,2006-09-13

[8]

单晶硅片表面磷酸基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN100366349C ,2006-10-11

[9]

单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法 [P].

安双利 .

中国专利 :CN101671849A ,2010-03-17

[10]

一种在单晶硅片表面制备Co3O4复合薄膜的方法 [P].

安双利 .

中国专利 :CN101748490A ,2010-06-23

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