单晶硅片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610024981.9

申请日：

2006-03-23

公开(公告)号：

CN100364911C

公开(公告)日：

2006-09-13

发明(设计)人：

程先华顾勤林白涛蒋喆

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C03C1742

IPC分类号：

C03C1730

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

毛翠莹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	授权	授权
2006-09-13	公开	公开
2012-05-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101255580599 IPC(主分类):C03C 17/42 专利号:ZL2006100249819 申请日:20060323 授权公告日:20080130 终止日期:20110323
2006-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

单晶硅片表面磷酸基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN100366349C ,2006-10-11

[2]

单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

王梁 .

中国专利 :CN1670247A ,2005-09-21

[3]

单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

王梁 .

中国专利 :CN1670248A ,2005-09-21

[4]

单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 .

中国专利 :CN1733593A ,2006-02-15

[5]

玻璃基片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1830858A ,2006-09-13

[6]

单晶硅片表面磷酸基硅烷-CdSe复合薄膜的制备方法 [P].

安双利 .

中国专利 :CN101671849A ,2010-03-17

[7]

单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

亓永 ;

李键 ;

顾勤林 .

中国专利 :CN100479931C ,2007-09-19

[8]

单晶硅片表面自组装聚电解质－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1807225A ,2006-07-26

[9]

单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法 [P].

程先华 ;

吴炬 ;

白涛 ;

上官倩芡 .

中国专利 :CN1544690A ,2004-11-10

[10]

单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土自润滑复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 .

中国专利 :CN1730377A ,2006-02-08

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