纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010175609.8

申请日：

2020-03-13

公开(公告)号：

CN111276610A

公开(公告)日：

2020-06-12

发明(设计)人：

吴卫华陈康雄刁懿汤皓婷张贤朱小芹邹华胡益丰

申请人：

申请人地址：

213011 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

杭行

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-12	公开	公开
2020-09-04	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20200612
2020-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200313

共 50 条

[1]

一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

黄玉凤 ;

徐胜卿 ;

朱小芹 .

中国专利 :CN112614936A ,2021-04-06

[2]

高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN107359238B ,2017-11-17

[3]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[4]

多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

刘瑞蕊 ;

沈波 ;

何子芳 .

中国专利 :CN105070826A ,2015-11-18

[5]

一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

蒋爱如 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN105679934A ,2016-06-15

[6]

一种Sb-Te-C相变存储材料及其制备方法和应用 [P].

徐明 ;

沈颖华 ;

麦贤良 ;

王欢 ;

刘永鹏 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115835770B ,2025-10-31

[7]

一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106449972B ,2017-02-22

[8]

一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

晏雨枫 ;

李洋 ;

李欣欣 ;

吴晓丽 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105514270A ,2016-04-20

[9]

纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

何子芳 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN105514269A ,2016-04-20

[10]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

王玉堃 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118773559A ,2024-10-15

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