高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710422075.2

申请日：

2017-06-07

公开(公告)号：

CN107359238B

公开(公告)日：

2017-11-17

发明(设计)人：

翟继卫吴卫华

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

陈亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-01	授权	授权
2017-11-17	公开	公开
2017-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170607

共 50 条

[1]

纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

陈康雄 ;

刁懿 ;

汤皓婷 ;

张贤 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

胡益丰 .

中国专利 :CN111276610A ,2020-06-12

[2]

一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106449972B ,2017-02-22

[3]

纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

何子芳 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN105514269A ,2016-04-20

[4]

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23

[5]

一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法 [P].

吴卫华 ;

朱小芹 ;

薛建忠 ;

袁丽 ;

胡益丰 ;

邹华 .

中国专利 :CN109904310B ,2019-06-18

[6]

一种高稳定性低功耗Hf-Ge-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

翟继卫 ;

华思聪 ;

沈波 .

中国专利 :CN111211221A ,2020-05-29

[7]

一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法 [P].

吴卫华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

郑龙 ;

胡益丰 ;

邹华 .

中国专利 :CN109904311B ,2019-06-18

[8]

多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

刘瑞蕊 ;

沈波 ;

何子芳 .

中国专利 :CN105070826A ,2015-11-18

[9]

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 [P].

胡益丰 ;

尤海鹏 ;

朱强华 ;

臧千强 ;

张锐 ;

郭璇 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN108878645A ,2018-11-23

[10]

一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN108539013B ,2018-09-14

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