一种高稳定性低功耗Hf-Ge-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010015582.6

申请日：

2020-01-07

公开(公告)号：

CN111211221A

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

翟继卫华思聪沈波

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

顾艳哲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	公开	公开
2021-12-07	授权	授权
2020-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200107

共 50 条

[1]

一种高稳定性低功耗Mo-Te-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

胡益丰 ;

黄锦炀 .

中国专利 :CN117897041A ,2024-04-16

[2]

高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN107359238B ,2017-11-17

[3]

一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN107342362A ,2017-11-10

[4]

一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

张锐 ;

郭璇 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109273596B ,2019-01-25

[5]

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23

[6]

一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

翟继卫 ;

袁宇康 ;

沈波 .

中国专利 :CN115697032A ,2023-02-03

[7]

一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

徐永康 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN110010764B ,2019-07-12

[8]

一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

晏雨枫 ;

李洋 ;

李欣欣 ;

吴晓丽 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105514270A ,2016-04-20

[9]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[10]

一种In-Se纳米相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

许哲昊 ;

沈波 .

中国专利 :CN115697031A ,2023-02-03

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