一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810902452.7

申请日：

2018-08-09

公开(公告)号：

CN109273596B

公开(公告)日：

2019-01-25

发明(设计)人：

胡益丰张锐郭璇尤海鹏朱小芹邹华

申请人：

申请人地址：

213001 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

陈丽萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-25	公开	公开
2022-08-19	授权	授权
2019-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180809

共 50 条

[1]

一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

张锐 ;

郭璇 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109285944B ,2019-01-29

[2]

一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN108539013B ,2018-09-14

[3]

一种高稳定性低功耗Hf-Ge-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

翟继卫 ;

华思聪 ;

沈波 .

中国专利 :CN111211221A ,2020-05-29

[4]

一种相变薄膜材料纳米线的制备方法 [P].

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN100342562C ,2004-11-10

[5]

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23

[6]

一种高稳定性低功耗Mo-Te-Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用 [P].

胡益丰 ;

黄锦炀 .

中国专利 :CN117897041A ,2024-04-16

[7]

低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

邵迎新 ;

侯高猛 ;

张德林 ;

徐泽东 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120897663A ,2025-11-04

[8]

低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

邵迎新 ;

侯高猛 ;

张德林 ;

徐泽东 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120897663B ,2025-12-23

[9]

一种多层纳米复合相变薄膜 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

蒋爱如 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN205488236U ,2016-08-17

[10]

一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备和应用 [P].

尤海鹏 ;

吕莹璐 ;

牟臻颖 ;

姚茵 ;

胡益丰 ;

李悦 ;

陈依绡 ;

王馨瑶 ;

张慧雯 ;

杜二伟 .

中国专利 :CN118441253A ,2024-08-06

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