低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511403113.0

申请日：

2025-09-29

公开(公告)号：

CN120897663A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

吴世喆苟金龙邵迎新侯高猛张德林徐泽东姜勇

申请人：

天津工业大学

申请人地址：

300387 天津市西青区宾水西道399号

IPC主分类号：

H10N52/80

IPC分类号：

H10N52/85 H10N52/01 H10B61/00

代理机构：

天津合正知识产权代理有限公司 12229

代理人：

马云云

法律状态：

授权

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	授权	授权
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 52/80申请日:20250929

共 50 条

[1]

低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法 [P].

吴世喆 ;

苟金龙 ;

邵迎新 ;

侯高猛 ;

张德林 ;

徐泽东 ;

姜勇 .

中国专利 :CN120897663B ,2025-12-23

[2]

提高热稳定性的方法 [P].

E·哈姆 ;

C·布林克曼 ;

B·S·贝利 ;

A·皮拉克 ;

P·帕拉奇尼 .

中国专利 :CN101426973A ,2009-05-06

[3]

一种高热稳定性的阻变存储器及其性能仿真方法 [P].

贺利军 ;

禹谜 ;

秦宇航 ;

王理燕 ;

米成 ;

黄启俊 ;

杨沛铉 ;

佘良 ;

马康 .

中国专利 :CN120379271A ,2025-07-25

[4]

一种高热稳定性猛炸药及其制备方法 [P].

汤永兴 ;

殷召阳 ;

黄伟 .

中国专利 :CN114644600A ,2022-06-21

[5]

一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

张锐 ;

郭璇 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109273596B ,2019-01-25

[6]

一种低功耗非易失性存储器件、存储阵列及其制备方法 [P].

郎莉莉 ;

董业民 ;

陈晓杰 .

中国专利 :CN119403130A ,2025-02-07

[7]

一种高热稳定性成炭剂及其制备方法 [P].

钱立军 ;

许梦兰 .

中国专利 :CN104130407A ,2014-11-05

[8]

非易失性存储器件及其写入方法 [P].

小田大辅 .

中国专利 :CN1975930A ,2007-06-06

[9]

高机械稳定性、高热稳定性和高化学稳定性的费－托催化剂的制备方法 [P].

G·贝鲁希 ;

L·C·卡鲁茨奥 ;

R·赞纳罗 ;

G·德尔皮埃罗 .

中国专利 :CN101258225A ,2008-09-03

[10]

一种基于高热稳定性磁性隧道结的随机存储器 [P].

李洪伟 .

中国专利 :CN212934661U ,2021-04-09

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