一种多层纳米复合相变薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620300695.X

申请日：

2016-04-12

公开(公告)号：

CN205488236U

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

吴冬燕章雯蒋爱如吴阳江

申请人：

申请人地址：

215104 江苏省苏州市吴中区吴中大道国际教育园致能大道1号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1435 C23C1418 C23C1416 C23C1406

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

董建林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	授权	授权
2018-04-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20160412 授权公告日:20160817 终止日期:20170412

共 50 条

[1]

一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴冬燕 ;

章雯 ;

蒋爱如 ;

吴阳江 .

中国专利 :CN105679934A ,2016-06-15

[2]

一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106816528A ,2017-06-09

[3]

Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 [P].

汪昌州 ;

刘东方 ;

张伟 ;

杨康 .

中国专利 :CN106935701A ,2017-07-07

[4]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[5]

一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

张锐 ;

郭璇 ;

徐永康 ;

孙松 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN109817806A ,2019-05-28

[6]

Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 [P].

胡益丰 ;

尤海鹏 ;

朱强华 ;

臧千强 ;

张锐 ;

郭璇 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN108878645A ,2018-11-23

[7]

纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

何子芳 ;

吴卫华 .

中国专利 :CN105514269A ,2016-04-20

[8]

一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

徐永康 ;

朱小芹 ;

邹华 .

中国专利 :CN110010764B ,2019-07-12

[9]

三明治结构锑硒-锑-锑硒纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 [P].

吴卫华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN111276608A ,2020-06-12

[10]

一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其制备方法 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 .

中国专利 :CN101714610A ,2010-05-26

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