一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件

被引：0

申请号：

CN202210577172.X

申请日：

2022-05-25

公开(公告)号：

CN114990698A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

张紫璇王浩林耿龙飞李潇潇刘政白艳王琛泽周小伟谢涌吴巍伟李培咸

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2964 C30B2500 C09K1168

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

万艳艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20220525
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件 [P].

张紫璇 ;

王浩林 ;

耿龙飞 ;

李潇潇 ;

刘政 ;

白艳 ;

王琛泽 ;

周小伟 ;

谢涌 ;

吴巍伟 ;

李培咸 .

中国专利 :CN114990698B ,2024-06-07

[2]

制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法 [P].

魏威 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

张天宁 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105887015A ,2016-08-24

[3]

一种外延大单畴大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法 [P].

兰长勇 ;

邹瑞森 ;

李春 .

中国专利 :CN113322522B ,2021-08-31

[4]

一种大面积高质量完全单层的二硫化钨的制备方法 [P].

任文才 ;

高旸 ;

马来鹏 ;

马腾 ;

成会明 .

中国专利 :CN106567055A ,2017-04-19

[5]

光电子元件及用于制造光电子元件的方法 [P].

欧文·朗 ;

西蒙·施瓦伦贝格 ;

伊戈尔·施坦克 ;

帕特里克·赫尔纳 ;

马克·菲利彭斯 .

德国专利 :CN118235261A ,2024-06-21

[6]

一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法 [P].

张永哲 ;

王佳蕊 ;

马洋 ;

安博星 ;

李毓佛 ;

严辉 .

中国专利 :CN111041450A ,2020-04-21

[7]

光电子元件及其制备方法 [P].

蒂尔曼·施伦克尔 ;

拉尔夫·佩措尔德 .

中国专利 :CN102439197A ,2012-05-02

[8]

一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品 [P].

石彪 ;

王德强 ;

周彪 ;

冯双龙 ;

查克.特里里 ;

何石轩 ;

谢婉谊 ;

方绍熙 ;

周大明 ;

梁丽媛 ;

周硕 ;

唐鹏 ;

王赟姣 ;

殷博华 .

中国专利 :CN108559972A ,2018-09-21

[9]

一种单层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

李熠辉 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106517335A ,2017-03-22

[10]

光电子元件、使用该元件的平面显示器及光电子元件的制造方法 [P].

细野秀雄 ;

金正焕 ;

云见日出也 .

中国专利 :CN112369123A ,2021-02-12

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