半导体结构及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210530598.X

申请日：

2022-05-16

公开(公告)号：

CN115064578A

公开(公告)日：

2022-09-16

发明(设计)人：

尹朋岸胡思平

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2310 H01L23498 H01L2360 H01L2711517 H01L2711563 H01L2148

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

张雪;浦彩华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	公开	公开
2022-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220516

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

李德斌 .

中国专利 :CN117637839A ,2024-03-01

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN117672822A ,2024-03-08

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈维邦 ;

郑志成 .

中国专利 :CN114420639A ,2022-04-29

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈明发 ;

叶松峯 ;

刘醇鸿 ;

史朝文 .

中国专利 :CN112133691A ,2020-12-25

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭英雄 ;

李文章 ;

郭博庚 .

中国专利 :CN118263214A ,2024-06-28

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭英雄 ;

李文章 ;

郭博庚 .

中国专利 :CN118263214B ,2025-10-21

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

苗渊浩 .

中国专利 :CN117766542A ,2024-03-26

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 .

中国专利 :CN115915752B ,2025-10-21

[10]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

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