半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410396139.6

申请日：

2024-04-02

公开(公告)号：

CN118263214A

公开(公告)日：

2024-06-28

发明(设计)人：

郭英雄李文章郭博庚

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

362261 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

IPC主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L21/60 H10B12/00

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

孙超;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

福建省泉州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	公开	公开
2024-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/488申请日:20240402
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

李德斌 .

中国专利 :CN117637839A ,2024-03-01

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN117672822A ,2024-03-08

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈维邦 ;

郑志成 .

中国专利 :CN114420639A ,2022-04-29

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈明发 ;

叶松峯 ;

刘醇鸿 ;

史朝文 .

中国专利 :CN112133691A ,2020-12-25

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭英雄 ;

李文章 ;

郭博庚 .

中国专利 :CN118263214B ,2025-10-21

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

苗渊浩 .

中国专利 :CN117766542A ,2024-03-26

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

肖德元 .

中国专利 :CN115915752B ,2025-10-21

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

尹朋岸 ;

胡思平 .

中国专利 :CN115064578A ,2022-09-16

[10]

半导体结构及其制作方法、半导体器件 [P].

梅敏 ;

袁娜 ;

吴柱锋 .

中国专利 :CN119275202A ,2025-01-07

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