半导体器件及其制备方法

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申请号
CN202210783243.1
申请日
2022-07-05
公开(公告)号
CN114864480A
公开(公告)日
2022-08-05
发明(设计)人
廖军 张加亮
申请人
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
H01L21311
代理机构
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
刘婧
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
李敏 .
中国专利 :CN106257650B ,2016-12-28
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN119095376A ,2024-12-06
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
冯道欢 ;
廖昱程 ;
蒋懿 ;
赵文礼 ;
胡敏锐 ;
杨晨 .
中国专利 :CN119173028A ,2024-12-20
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
耿万波 ;
薛磊 .
中国专利 :CN112599500A ,2021-04-02
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
冯道欢 ;
廖昱程 ;
蒋懿 ;
赵文礼 ;
胡敏锐 ;
杨晨 .
中国专利 :CN119173028B ,2025-10-21
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
耿万波 ;
薛磊 .
中国专利 :CN112614823A ,2021-04-06
[7]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
魏鼎 ;
叶长福 .
中国专利 :CN117894825A ,2024-04-16
[8]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
吴华龙 ;
陈志涛 ;
赵维 ;
何晨光 ;
贺龙飞 ;
张康 .
中国专利 :CN109148624A ,2019-01-04
[9]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
董晓桐 .
中国专利 :CN121057279A ,2025-12-02
[10]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN119031716B ,2025-09-26