制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN02264298.6

申请日：

2002-09-09

公开(公告)号：

CN2571734Y

公开(公告)日：

2003-09-10

发明(设计)人：

张芬红

申请人：

申请人地址：

230031安徽省合肥市青阳路金华工业区3号楼

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

B01J1908

代理机构：

合肥诚兴专利代理有限公司

代理人：

汤茂盛

法律状态：

其他有关事项避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-26	其他有关事项避免重复授权放弃专利权	其他有关事项避免重复授权放弃专利权放弃生效日:20071205
2003-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置 [P].

张芬红 .

中国专利 :CN100352761C ,2004-03-17

[2]

制备纳米氮化硅粉体的系统 [P].

张芬红 .

中国专利 :CN1482059A ,2004-03-17

[3]

纳米氮化硅粉的制备方法 [P].

杨文伍 ;

黄国文 ;

陈祯祯 ;

徐严 ;

杨仁发 ;

张昊阳 .

中国专利 :CN107285288A ,2017-10-24

[4]

一种氮化硅粉体合成装置 [P].

张继才 ;

颜鹏佳 ;

颜井意 ;

杜建周 ;

颜成贵 ;

谢永忠 .

中国专利 :CN213352829U ,2021-06-04

[5]

氮化硅纳米线制备方法，氮化硅纳米线、氮化硅粉体及氮化硅亚微米粉体 [P].

雷超 ;

魏飞 ;

张晨曦 .

中国专利 :CN106477538A ,2017-03-08

[6]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03

[7]

氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P].

史颖颖 ;

王正 ;

王良 ;

杜盼盼 ;

薛国梁 .

中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25

[8]

一种高效纳米氮化硅粉体制备装置 [P].

王桢 ;

温广武 ;

刘峰 ;

孙志远 ;

张俊亭 ;

杨国威 .

中国专利 :CN214829036U ,2021-11-23

[9]

一种氮化硅粉体合成装置 [P].

谭庆文 ;

刘明 ;

李能 ;

汤娜 ;

李杨 .

中国专利 :CN116834129B ,2024-02-09

[10]

氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P].

韩召 ;

刘鹏飞 ;

郗威 ;

吴六顺 .

中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02

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