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基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821041759.4
申请日
:
2018-06-29
公开(公告)号
:
CN208722914U
公开(公告)日
:
2019-04-09
发明(设计)人
:
王洪
文茹莲
胡晓龙
申请人
:
申请人地址
:
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
:
H01L3342
IPC分类号
:
代理机构
:
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
:
何淑珍;江裕强
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-09
授权
授权
共 50 条
[1]
金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法
[P].
王洪
论文数:
0
引用数:
0
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0
王洪
;
文茹莲
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文茹莲
;
胡晓龙
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胡晓龙
.
中国专利
:CN109037413A
,2018-12-18
[2]
金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
王洪
;
文茹莲
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0
机构:
华南理工大学
华南理工大学
文茹莲
;
论文数:
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机构:
胡晓龙
.
中国专利
:CN109037413B
,2024-08-09
[3]
一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜
[P].
王强华
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王强华
;
罗俊欣
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罗俊欣
;
杨兵华
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杨兵华
.
中国专利
:CN216435481U
,2022-05-03
[4]
新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法
[P].
王洪
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王洪
;
胡晓龙
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胡晓龙
;
文茹莲
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文茹莲
.
中国专利
:CN108666399A
,2018-10-16
[5]
一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜
[P].
王洪
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王洪
;
胡晓龙
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胡晓龙
;
文茹莲
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文茹莲
.
中国专利
:CN208385439U
,2019-01-15
[6]
一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜
[P].
彭雄
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彭雄
;
王琛
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王琛
;
梁伟熠
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梁伟熠
.
中国专利
:CN217982853U
,2022-12-06
[7]
ITO透明导电薄膜
[P].
吴培服
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0
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0
吴培服
.
中国专利
:CN204463848U
,2015-07-08
[8]
ITO透明导电薄膜
[P].
吴培服
论文数:
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吴培服
.
中国专利
:CN104766647B
,2015-07-08
[9]
用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法
[P].
王洪
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王洪
;
文如莲
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文如莲
;
胡晓龙
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胡晓龙
;
周泉斌
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周泉斌
.
中国专利
:CN109136869A
,2019-01-04
[10]
一种ITO透明导电薄膜取样工装
[P].
彭雄
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机构:
高邮市汇金新材料科技有限公司
高邮市汇金新材料科技有限公司
彭雄
;
胡军
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机构:
高邮市汇金新材料科技有限公司
高邮市汇金新材料科技有限公司
胡军
;
侯涛
论文数:
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机构:
高邮市汇金新材料科技有限公司
高邮市汇金新材料科技有限公司
侯涛
.
中国专利
:CN223154540U
,2025-07-25
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