用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810783767.4

申请日：

2018-07-17

公开(公告)号：

CN109136869A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

王洪文如莲胡晓龙周泉斌

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1402 C23C1408 C23C1414 C23C1458 H01L3342

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

向玉芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-31	授权	授权
2019-01-04	公开	公开
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20180717

共 50 条

[1]

新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法 [P].

王洪 ;

胡晓龙 ;

文茹莲 .

中国专利 :CN108666399A ,2018-10-16

[2]

金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王洪 ;

文茹莲 ;

胡晓龙 .

中国专利 :CN109037413B ,2024-08-09

[3]

金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法 [P].

王洪 ;

文茹莲 ;

胡晓龙 .

中国专利 :CN109037413A ,2018-12-18

[4]

一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

张忠辉 ;

卢寅梅 ;

黎明锴 ;

刘琦 ;

陈兴驰 ;

陈剑 .

中国专利 :CN114597269A ,2022-06-07

[5]

一种高方阻掺镓氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 [P].

赵青南 ;

曾臻 ;

刘翔 ;

张泽华 ;

李渊 ;

赵修建 .

中国专利 :CN108342690A ,2018-07-31

[6]

掺钼的氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 [P].

韩圣浩 ;

修显武 ;

庞智勇 ;

吕茂水 ;

叶丽娜 ;

林亮 .

中国专利 :CN100353464C ,2006-08-23

[7]

一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜及其制备方法 [P].

赖发春 ;

程正勤 ;

裴瑜 ;

黄志高 ;

林丽梅 .

中国专利 :CN101697288A ,2010-04-21

[8]

H掺FZO透明导电薄膜及其制备方法 [P].

朱丽萍 .

中国专利 :CN102426876A ,2012-04-25

[9]

掺锗氧化镓透明导电半导体单晶及其制备方法 [P].

吴庆辉 ;

唐慧丽 ;

罗平 ;

吴锋 ;

钱小波 ;

徐军 .

中国专利 :CN106978626A ,2017-07-25

[10]

多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

黄延伟 ;

李桂峰 .

中国专利 :CN101413099A ,2009-04-22

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