一种抛光垫及半导体器件的制造方法

被引：0

申请号：

CN202111633366.9

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114473857A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

黄学良高越张季平王欢王腾朱顺全

申请人：

申请人地址：

430057 湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号411号房

IPC主分类号：

B24B3726

IPC分类号：

B24B3704 B24B3734

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/26 申请日:20211229
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

黄学良 ;

蔡长益 ;

邱瑞英 ;

桂辉辉 ;

刘敏 ;

罗乙杰 ;

杨佳佳 ;

张季平 .

中国专利 :CN112405337A ,2021-02-26

[2]

一种抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

黄学良 ;

邱瑞英 ;

杨佳佳 ;

张季平 ;

朱顺全 .

中国专利 :CN113524022A ,2021-10-22

[3]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

中国专利 :CN114310656A ,2022-04-12

[4]

抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN114310656B ,2024-03-08

[5]

一种抛光垫及其制备方法、半导体器件的制造方法 [P].

王腾 ;

刘敏 ;

罗乙杰 ;

邱瑞英 ;

杨浩 .

中国专利 :CN113442056B ,2021-09-28

[6]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

郑恩先 ;

安宰仁 .

中国专利 :CN114762953A ,2022-07-19

[7]

抛光垫及制造半导体器件的方法 [P].

南幅学 ;

竖山佳邦 ;

矢野博之 ;

河村知男 ;

长谷川亨 .

中国专利 :CN100570826C ,2004-08-11

[8]

抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

陈博 ;

高越 ;

张季平 .

中国专利 :CN119567090A ,2025-03-07

[9]

一种抛光垫及半导体器件的制造方法 [P].

罗乙杰 ;

张季平 ;

高越 ;

刘敏 .

中国专利 :CN114227530B ,2022-03-25

[10]

抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法 [P].

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

尹晟勋 ;

许惠暎 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN115070608B ,2024-06-07

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