一种制备镧钙锰氧纳米线阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710323609.6

申请日：

2017-05-10

公开(公告)号：

CN107254704B

公开(公告)日：

2017-10-17

发明(设计)人：

陈清明杨盛安张辉刘翔金菲

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

C25D1112 B82Y4000

代理机构：

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法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-07	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C25D 9/04 变更事项:发明人变更前:杨盛安陈清明张辉刘翔金菲变更后:陈清明杨盛安张辉刘翔金菲
2017-10-17	公开	公开
2018-10-23	授权	授权
2017-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20170510

共 50 条

[1]

一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法 [P].

杨盛安 ;

陈清明 ;

张辉 ;

刘翔 ;

金菲 .

中国专利 :CN107254703A ,2017-10-17

[2]

一种制备镧钙锰氧纳米颗粒带阵列的方法 [P].

杨盛安 ;

陈清明 ;

张辉 ;

刘翔 ;

金菲 .

中国专利 :CN107268058A ,2017-10-20

[3]

一种制备铝酸盐纳米线阵列的方法 [P].

韩东强 .

中国专利 :CN107010649A ,2017-08-04

[4]

一种全无机钙钛矿闪烁体纳米线阵列的制备方法及应用 [P].

余雪 ;

王少卿 ;

王婷 ;

徐旭辉 .

中国专利 :CN114958349B ,2024-01-26

[5]

一种AgSbTe2单晶纳米线阵列的制备方法 [P].

杨友文 ;

李天应 ;

朱文斌 ;

马东明 .

中国专利 :CN103074687B ,2013-05-01

[6]

一种有序金属纳米线阵列的制备方法 [P].

刘敏 ;

梁艳清 ;

陈国柱 .

中国专利 :CN112481660A ,2021-03-12

[7]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[8]

一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法 [P].

薛方红 ;

汪晓允 ;

黄昊 ;

董星龙 .

中国专利 :CN103628106A ,2014-03-12

[9]

一种制备有序硅纳米线阵列的方法 [P].

王珊珊 ;

黄书佳 ;

赵季杰 .

中国专利 :CN114132890A ,2022-03-04

[10]

镧钙锰氧薄膜的制备方法 [P].

蒋毅坚 ;

常雷 .

中国专利 :CN100374615C ,2006-07-19

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