制作双层栅沟槽MOS的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110340524.1

申请日：

2011-11-01

公开(公告)号：

CN103094118B

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

金勤海李卫刚吴兵

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

张骥

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689294962 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103405241 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140107
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101467933731 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103405241 申请日:20111101
2015-06-03	授权	授权
2013-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

制作双层栅沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

张力 ;

卢志远 .

中国专利 :CN103094115B ,2013-05-08

[2]

制作沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

曹俊 ;

王军明 .

中国专利 :CN103094116A ,2013-05-08

[3]

制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

沈浩峰 ;

袁秉荣 .

中国专利 :CN103094117A ,2013-05-08

[4]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN104538451B ,2015-04-22

[5]

用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

杨川 ;

许凯强 .

中国专利 :CN103094074A ,2013-05-08

[6]

沟槽型双层栅MOS的工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN105845579A ,2016-08-10

[7]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 ;

周颖 ;

陈正嵘 ;

陈菊英 .

中国专利 :CN104465781A ,2015-03-25

[8]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[9]

沟槽型双层栅MOS介质层的工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107492486A ,2017-12-19

[10]

沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法 [P].

李陆萍 ;

张博 .

中国专利 :CN104103576A ,2014-10-15

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