沟槽型双层栅MOS的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610374811.7

申请日：

2016-05-31

公开(公告)号：

CN105845579A

公开(公告)日：

2016-08-10

发明(设计)人：

陈晨

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2940

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	公开	公开
2016-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101677913316 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016103748117 申请日:20160531
2020-03-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160810

共 50 条

[1]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN104538451B ,2015-04-22

[2]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 ;

周颖 ;

陈正嵘 ;

陈菊英 .

中国专利 :CN104465781A ,2015-03-25

[3]

沟槽型双层栅MOS介质层的工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107492486A ,2017-12-19

[4]

沟槽型双层栅MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

李卫刚 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130000A ,2011-07-20

[5]

沟槽型双层栅MOS结构的制备方法 [P].

金勤海 ;

康志潇 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN102129999A ,2011-07-20

[6]

沟槽型双层栅MOS成膜方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107527802A ,2017-12-29

[7]

制作双层栅沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

李卫刚 ;

吴兵 .

中国专利 :CN103094118B ,2013-05-08

[8]

制作双层栅沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

张力 ;

卢志远 .

中国专利 :CN103094115B ,2013-05-08

[9]

沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法 [P].

李陆萍 ;

张博 .

中国专利 :CN104103576A ,2014-10-15

[10]

屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法 [P].

周颖 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN106298949A ,2017-01-04

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