半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710136893.2

申请日：

2007-07-23

公开(公告)号：

CN101127326A

公开(公告)日：

2008-02-20

发明(设计)人：

张贞烈

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336 H01L2704 H01L2978

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003335225 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2007101368932 公开日:20080220
2008-02-20	公开	公开
2008-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴珑虎 .

中国专利 :CN101192541A ,2008-06-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹济永 .

中国专利 :CN101350301A ,2009-01-21

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

李斗成 .

中国专利 :CN101728385A ,2010-06-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄文摄 .

中国专利 :CN100524825C ,2007-06-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

李真 ;

朴赞毫 ;

金虎铉 ;

黄大元 ;

金荣锡 .

韩国专利 :CN119133230A ,2024-12-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

王欢 .

中国专利 :CN114496794A ,2022-05-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金大均 .

中国专利 :CN101471342A ,2009-07-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴茔泽 .

中国专利 :CN100502045C ,2007-07-04

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN100570892C ,2008-07-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄宗泽 .

中国专利 :CN101211893A ,2008-07-02

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