半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410150488.X

申请日：

2024-02-02

公开(公告)号：

CN119133230A

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

李真朴赞毫金虎铉黄大元金荣锡

申请人：

美格纳半导体有限公司

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/06 H01L29/423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

姚文杰

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴茔泽 .

中国专利 :CN100502045C ,2007-07-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN100570892C ,2008-07-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

白贤锡 ;

李银河 ;

丁炫硕 ;

韩成基 ;

梁旼镐 .

中国专利 :CN1996614A ,2007-07-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

孙洛辰 ;

金志永 .

中国专利 :CN100487912C ,2004-02-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

稻叶聪 .

中国专利 :CN100468733C ,2006-04-26

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

川嶋祥之 ;

伊藤文俊 ;

坂井健志 ;

石井泰之 ;

金丸恭弘 ;

桥本孝司 ;

水野真 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN1534768A ,2004-10-06

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李相龙 .

中国专利 :CN1983637A ,2007-06-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

← 1 2 3 4 5 →