金属线形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910194852.8

申请日：

2009-08-31

公开(公告)号：

CN102005408A

公开(公告)日：

2011-04-06

发明(设计)人：

丁钟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2100 G03F114

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

王一斌;王琦

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	授权	授权
2021-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20090831 授权公告日:20120725 终止日期:20200831
2011-04-06	公开	公开
2011-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101072508615 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009101948528 申请日:20090831

共 50 条

[1]

WB金属线及直线形金属焊线的形成方法 [P].

蔡汉龙 ;

陈明志 ;

林正忠 .

中国专利 :CN112185922B ,2025-07-22

[2]

WB金属线及直线形金属焊线的形成方法 [P].

蔡汉龙 ;

陈明志 ;

林正忠 .

中国专利 :CN112185922A ,2021-01-05

[3]

铝线形成方法 [P].

孙长勇 ;

楼丰瑞 .

中国专利 :CN101958272A ,2011-01-26

[4]

电感器的金属线的形成方法 [P].

尹基准 .

中国专利 :CN101656202A ,2010-02-24

[5]

一种金属线的形成方法 [P].

洪庆旋 ;

朱普磊 ;

周海锋 .

中国专利 :CN115132653A ,2022-09-30

[6]

一种金属线的形成方法 [P].

洪庆旋 ;

朱普磊 ;

周海锋 .

中国专利 :CN115132653B ,2025-04-11

[7]

半导体存储器件的金属线的形成方法 [P].

金荣模 ;

黄胜民 .

中国专利 :CN101114608B ,2008-01-30

[8]

一种金属线的形成方法及DRAM的形成方法 [P].

丁彦荣 ;

张月 ;

杨涛 ;

卢一泓 ;

刘青 ;

田光辉 .

中国专利 :CN114613723A ,2022-06-10

[9]

形成铜金属线的方法 [P].

崔璟根 .

中国专利 :CN1466190A ,2004-01-07

[10]

半导体器件内的金属线及其形成方法 [P].

崔容寿 ;

金奎显 .

中国专利 :CN101154646B ,2008-04-02

← 1 2 3 4 5 →