半导体存储器件的金属线的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710130431.X

申请日：

2007-07-19

公开(公告)号：

CN101114608B

公开(公告)日：

2008-01-30

发明(设计)人：

金荣模黄胜民

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586801025 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL200710130431X 申请日:20070719 授权公告日:20100908 终止日期:20130719
2008-01-30	公开	公开
2008-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-08	授权	授权

共 50 条

[1]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

沈相哲 .

中国专利 :CN101471286A ,2009-07-01

[2]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1351374A ,2002-05-29

[3]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金奭中 .

中国专利 :CN102376639A ,2012-03-14

[4]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金正根 ;

郑哲谟 ;

金恩洙 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101154624A ,2008-04-02

[5]

一种形成半导体器件金属线的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471282A ,2009-07-01

[6]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

金兑京 .

中国专利 :CN1617324A ,2005-05-18

[7]

形成半导体存储器件位线的方法 [P].

郑哲谟 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101140900A ,2008-03-12

[8]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541B ,2024-09-03

[9]

半导体器件、存储器件及其形成方法 [P].

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 ;

蒋国璋 .

中国专利 :CN113488541A ,2021-10-08

[10]

半导体存储器件隔离层的形成方法 [P].

赵种慧 ;

赵挥元 ;

金恩洙 .

中国专利 :CN101471305B ,2009-07-01

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