形成半导体器件的金属线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610166775.1

申请日：

2006-12-14

公开(公告)号：

CN101154624A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

金正根郑哲谟金恩洙洪承希

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101190111647 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2006101667751 申请日:20061214 授权公告日:20090729 终止日期:20101214
2009-07-29	授权	授权
2008-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

表成奎 .

中国专利 :CN1351374A ,2002-05-29

[2]

形成半导体器件的金属线的方法 [P].

金奭中 .

中国专利 :CN102376639A ,2012-03-14

[3]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

沈相哲 .

中国专利 :CN101471286A ,2009-07-01

[4]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

郑星熙 .

中国专利 :CN101471287A ,2009-07-01

[5]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

金兑京 .

中国专利 :CN1617324A ,2005-05-18

[6]

在半导体器件中形成金属线的方法 [P].

赵直镐 .

中国专利 :CN101246846A ,2008-08-20

[7]

一种形成半导体器件金属线的方法 [P].

郑宇荣 .

中国专利 :CN101471282A ,2009-07-01

[8]

半导体器件的金属线及其制造方法 [P].

洪韺玉 ;

李东奂 .

中国专利 :CN101101904A ,2008-01-09

[9]

用于形成半导体器件的金属线的方法 [P].

郑沖耕 .

中国专利 :CN101882599A ,2010-11-10

[10]

半导体存储器件的金属线的形成方法 [P].

金荣模 ;

黄胜民 .

中国专利 :CN101114608B ,2008-01-30

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